規(guī)格：
頻率范圍：10MHz至54MHz有源晶振
電源電壓：典型值3.3V。
工作溫度：-40℃至+85℃(+105℃選項(xiàng))
頻率/溫度特性：±0.28x10-6。溫度過(guò)高
頻率斜率：±0.2x10-6/ C最大。溫度過(guò)高
頻率老化：±3.0x10-6。/ 20年(符合Stratum3)
小體積尺寸封裝：5.0x3.2x1.45mm(10腳貼片晶振)

應(yīng)用程序：網(wǎng)絡(luò)設(shè)備，基站，微波爐，同步合規(guī)標(biāo)準(zhǔn)，Stratum3，同步，IEEE1588

TG-5510CB溫補(bǔ)晶振X1G006061009514用于5G室外基站控制器

石英晶振	型號(hào)	頻率	尺寸	輸出波	電源電壓	精度	工作溫度
X1G006061004514	TG-5510CB	25.000000MHz	5.00x3.20x1.50mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to +105 °C
X1G006061004814	TG-5510CB	50.000000MHz	5.00x3.20x1.50mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to +105 °C
X1G006061007614	TG-5510CB	30.720000MHz	5.00x3.20x1.50mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to +85 °C
X1G006061008214	TG-5510CB	38.400000MHz	5.00x3.20x1.50mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to +85 °C
X1G006061009014	TG-5510CB	25.000000MHz	5.00x3.20x1.50mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to +85 °C
X1G006061009214	TG-5510CB	25.600000MHz	5.00x3.20x1.50mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to +85 °C
X1G006061009414	TG-5510CB	12.800000MHz	5.00x3.20x1.50mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to +85 °C
X1G006061009514	TG-5510CB	20.000000MHz	5.00x3.20x1.50mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to +85 °C
X1G006061009714	TG-5510CB	50.000000MHz	5.00x3.20x1.50mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to +85 °C
X1G006061009814	TG-5510CB	10.000000MHz	5.00x3.20x1.50mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to +85 °C

TG-5510CB溫補(bǔ)晶振X1G006061009514用于5G室外基站控制器

溫補(bǔ)晶振即溫度補(bǔ)償晶體振蕩器（TCXO），本身具有溫度補(bǔ)償作用，是通過(guò)附加的溫度補(bǔ)償電路使由周圍溫度變化產(chǎn)生的振蕩頻率變化量削減的一種石英晶體振蕩器，高低溫度穩(wěn)定性:頻率精度0.5PPM~2.0PPM,常用頻率:26M,33.6M,38.4M,40M.因產(chǎn)品性能穩(wěn)定,精度高等優(yōu)勢(shì),被廣泛應(yīng)用到一些比較高端的數(shù)碼通訊產(chǎn)品領(lǐng)域,GPS全球定位系統(tǒng),智能手機(jī),WiMAX和無(wú)線通信等產(chǎn)品,符合RoHS/無(wú)鉛.