在2010年全球晶振廠家排名中,占據(jù)首位.愛普生僅此一項水晶振動子行業(yè)就能足矣讓電子世界的人都敬佩不已.愛普生晶振以32.768KHZ晶振稱霸晶振行業(yè),主要消費在手機,PCB,等電子產(chǎn)品.同時愛普生以提供原子鐘的精準振蕩器知名業(yè)界.僅此在音叉振子和振蕩器還遠遠達不到愛普生本身的要求.他們要求的是在元器件占領(lǐng)NO1.
愛普生晶振,有源晶振,SG-211SDE晶振,X1G0036310003晶振,有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實現(xiàn)與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應(yīng)自動搭載及IR回流焊盤（無鉛對應(yīng)）產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對不同IC產(chǎn)品需要.
石英晶振曲率半徑加工技術(shù)：石英晶振晶片在球筒倒邊加工時應(yīng)用到的加工技術(shù)，主要是研究滿足不同曲率半徑石英晶振晶片設(shè)計可使用的方法。如：1、是指球面加工曲率半徑的工藝設(shè)計（ a、球面的余弦磨量； b、球面的均勻磨量；c、球面加工曲率半徑的配合）2、在加工時球面測量標準的設(shè)計原則（曲率半徑公式的計算）。
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型號 |
符號 |
參數(shù) |
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輸出規(guī)格 |
- |
CMOS |
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輸出頻率范圍 |
fo |
2.375~60MHZ |
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電源電壓 |
VCC |
2.2~2.7V |
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頻率公差 |
f_tol |
±50×10-6max., ±100×10-6max. |
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保存溫度范圍 |
T_stg |
-40-+85℃ |
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運行溫度范圍 |
T_use |
-10-+70℃,-40-+85℃ |
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消耗電流 |
ICC |
20mA max. |
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待機時電流（＃1引腳"L"） |
I_std |
10μA max. |
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輸出負載 |
Load-R |
100Ω (Output-OutputN) |
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波形對稱 |
SYM |
45-55% [at outputs cross point] |
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0電平電壓 |
VOL |
- |
|
1電平電壓 |
VOH |
- |
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上升時間 下降時間 |
tr, tf |
0.4ns max. [20-80% Output-OutputN] |
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差分輸出電壓 |
VOD1, VOD2 |
0.247-0.454V |
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差分輸出誤差 |
⊿VOD |
50mV [⊿VOD=｜VOD1VOD2｜] |
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補償電壓 |
VOS |
1.125-1.375V |
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補償電壓誤差 |
⊿VOS |
50mV |
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交叉點電壓 |
Vcr |
- |
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OE端子0電平輸入電壓 |
VIL |
VCC×0.3 max. |
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OE端子1電平輸入電壓 |
VIH |
VCC×0.7 min. |
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輸出禁用時間 |
tPLZ |
200ns |
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輸出使能時間 |
tPZL |
2ms |
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周期抖動（1） |
tRMS |
5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ) |
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tp-p |
33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak) |
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總抖動（1） |
tTL |
50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12)(2)] |
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相位抖動 |
tpj |
1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) |
愛普生有源進口MHZ振蕩器型號列表:
愛普生有源進口MHZ振蕩器編碼列表:
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Aging2
Symmetry
SG-211SCE
24.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-40 to 90 °C
+/-25 ppm
≤ 3.5 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
SG-211SCE
10.000250 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-15 ppm
≤ 3.5 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
SG-211SCE
10.000400 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-15 ppm
≤ 3.5 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
SG-211SCE
19.660000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-15 ppm
≤ 4.0 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
SG-211SDE
26.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-20 ppm
≤ 2.5 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
SG-211SDE
40.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-20 ppm
≤ 3.0 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
SG-211SDE
37.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-20 ppm
≤ 3.0 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
SG-211SDE
54.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-15 ppm
≤ 5.0 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
SG-211SDE
11.289600 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-20 ppm
≤ 2.5 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
Product Number
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Aging2
Symmetry
X1G0036210198
SG-211SCE
24.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-40 to 90 °C
+/-25 ppm
≤ 3.5 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
X1G0036210200
SG-211SCE
10.000250 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-15 ppm
≤ 3.5 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
X1G0036210201
SG-211SCE
10.000400 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-15 ppm
≤ 3.5 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
X1G0036210202
SG-211SCE
19.660000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-15 ppm
≤ 4.0 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
X1G0036310003
SG-211SDE
26.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-20 ppm
≤ 2.5 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
X1G0036310004
SG-211SDE
40.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-20 ppm
≤ 3.0 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
X1G0036310005
SG-211SDE
37.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-20 ppm
≤ 3.0 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
X1G0036310006
SG-211SDE
54.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-15 ppm
≤ 5.0 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
X1G0036310007
SG-211SDE
11.289600 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-20 ppm
≤ 2.5 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
存儲事項:(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存晶振時,會影響2520晶振頻率穩(wěn)定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環(huán)境下保存這些石英晶振產(chǎn)品,并在開封后盡可能進行安裝,以免長期儲藏。 正常溫度和濕度： 溫度：+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH。 (2) 請仔細處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會導(dǎo)致卷帶受到損壞。愛普生晶振,有源晶振,SG-211SDE晶振,X1G0036310003晶振
耐焊性：將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品。在下列回流條件下,對石英晶振產(chǎn)品甚至石英有源晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時間。同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查。如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。
OSC晶振自動安裝和真空化引發(fā)的沖擊會破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品。請設(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對晶振特性產(chǎn)生影響。條件改變時,請重新檢查安裝條件。同時,在安裝前后,請確保石英晶振產(chǎn)品未撞擊機器或其他電路板等。
愛普生晶振環(huán)境影響的最小化：遵照社會的期望,改進的環(huán)境行為,我們將通過有效利用森林、能源以及其它資源,減少2520mm石英晶振形式的廢物來實現(xiàn)這一承諾.愛普生晶振環(huán)境管理體系：在每一個運行部門,實施支持方針的系統(tǒng)的環(huán)境管理工具.我們將確保適當?shù)娜肆Y源和充分的財力保障.每年我們都將建立可測量的環(huán)境管理以及行為改進的目標和指標.愛普生晶振,有源晶振,SG-211SDE晶振,X1G0036310003晶振
環(huán)境行為評價：評價我們運行以及員工的環(huán)境行為表現(xiàn),確認支撐著本方針的成績.我們將向我們的員工提供信息,以及能夠?qū)⒎结樑c各自工作職責完全結(jié)合的培訓(xùn).加強環(huán)境意識教育,提高環(huán)境意識,充分調(diào)動職工的積極性,積極使用溫補晶體振蕩器（TCXO）、恒溫晶體振蕩器（OCXO）,2520貼片石英晶振,石英晶振,有源晶振環(huán)保型原材料,減少生產(chǎn)過程中的廢棄物產(chǎn)生量,努力向相關(guān)方施加環(huán)境影響.
我們的活動、產(chǎn)品和服務(wù)首先要遵守和符合有關(guān)環(huán)境的法律和其他環(huán)境要求.努力探索生產(chǎn)中所使用的有毒有害物質(zhì)的替代,本著污染預(yù)防的思想,使我們的有源晶振,壓控振蕩器,低損耗晶振,石英晶振更趨于綠色,提高本公司的社會形象.
聯(lián)系人：龔成
QQ：769468702
手機：13590198504
郵箱:zhaoxiandz@163.com
網(wǎng)站:http://ellentracy.cn
愛普生晶振,有源晶振,SG-210SCBA晶振,X1G0045910026晶振
愛普生晶振,有源晶振,SG-210SED晶振,X1G0029410001晶振
愛普生晶振,有源晶振,SG-210STF晶振,X1G0041710002晶振
