愛普生株式會社愛普生拓優(yōu)科夢,（EPSON — YOCOM）1942年成立時(shí)是精工集團(tuán)的第三家手表制造公司,以石英手表起家的愛普生公司到后續(xù)的生產(chǎn)壓電晶體,1996年2月在中國蘇州投資建廠,在當(dāng)時(shí)員工人數(shù)就達(dá)2000人,總投資4.055億美元,公司占地200畝,現(xiàn)已經(jīng)是世界500強(qiáng)企業(yè).
愛普生晶振,有源晶振,SG-210SCH晶振,X1G0039310001晶振,2520mm體積的晶振,可以說是目前小型數(shù)碼產(chǎn)品的福音,目前超小型的智能手機(jī)里面所應(yīng)用的就是小型的石英晶振,該產(chǎn)品最適用于無線通訊系統(tǒng),無線局域網(wǎng),已實(shí)現(xiàn)低相位噪聲,低電壓,低消費(fèi)電流和高穩(wěn)定度,超小型,質(zhì)量輕等產(chǎn)品特點(diǎn),產(chǎn)品本身編帶包裝方式,可對應(yīng)自動高速貼片機(jī)應(yīng)用,以及高溫回流焊接（產(chǎn)品無鉛對應(yīng)）,為無鉛產(chǎn)品.
石英晶振的研磨技術(shù)：通過對晶振切割整形后的晶片進(jìn)行研磨，使2520晶振的晶片達(dá)到（厚度/頻率）的一定范圍。石英晶振晶片厚度與頻率的關(guān)系為：在壓電晶體行業(yè)，生產(chǎn)晶振頻率的高低是顯示鴻星技術(shù)水平的一個(gè)方面，通過理論與實(shí)際相結(jié)合，累積多年的晶振研磨經(jīng)驗(yàn)，通過深入細(xì)致地完善石英晶振研磨工藝技術(shù)，注重貼片晶振研磨過程的各種細(xì)節(jié)，注重晶振所用精磨研磨設(shè)備的選擇；
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型號 |
符號 |
參數(shù) |
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輸出規(guī)格 |
- |
CMOS |
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輸出頻率范圍 |
fo |
80~170MHZ |
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電源電壓 |
VCC |
3.3V±10％ |
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頻率公差 |
f_tol |
±50×10-6max., ±100×10-6max. |
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保存溫度范圍 |
T_stg |
-40-+85℃ |
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運(yùn)行溫度范圍 |
T_use |
-10-+70℃,-40-+85℃ |
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消耗電流 |
ICC |
20mA max. |
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待機(jī)時(shí)電流（＃1引腳"L"） |
I_std |
10μA max. |
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輸出負(fù)載 |
Load-R |
100Ω (Output-OutputN) |
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波形對稱 |
SYM |
45-55% [at outputs cross point] |
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0電平電壓 |
VOL |
- |
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1電平電壓 |
VOH |
- |
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上升時(shí)間 下降時(shí)間 |
tr, tf |
0.4ns max. [20-80% Output-OutputN] |
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差分輸出電壓 |
VOD1, VOD2 |
0.247-0.454V |
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差分輸出誤差 |
⊿VOD |
50mV [⊿VOD=｜VOD1VOD2｜] |
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補(bǔ)償電壓 |
VOS |
1.125-1.375V |
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補(bǔ)償電壓誤差 |
⊿VOS |
50mV |
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交叉點(diǎn)電壓 |
Vcr |
- |
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OE端子0電平輸入電壓 |
VIL |
VCC×0.3 max. |
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OE端子1電平輸入電壓 |
VIH |
VCC×0.7 min. |
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輸出禁用時(shí)間 |
tPLZ |
200ns |
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輸出使能時(shí)間 |
tPZL |
2ms |
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周期抖動（1） |
tRMS |
5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ) |
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tp-p |
33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak) |
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總抖動（1） |
tTL |
50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12)(2)] |
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相位抖動 |
tpj |
1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) |
愛普生有源進(jìn)口MHZ振蕩器型號列表:
愛普生有源進(jìn)口MHZ振蕩器編碼列表:
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Aging2
Symmetry
SG-211SEE
25.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-40 to 90 °C
+/-15 ppm
≤ 2.3 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
SG-211SEE
19.200000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-20 ppm
≤ 2.3 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
SG-211SEE
37.125000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-20 ppm
≤ 2.8 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
SG-211SEE
27.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-15 ppm
≤ 2.3 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
SG-210SCH
100.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 9.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG-210SCH
125.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 9.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG-210SCH
100.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-50 ppm
≤ 9.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG-210SCH
125.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-50 ppm
≤ 9.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG-210SCH
150.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 11.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
Product Number
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Aging2
Symmetry
X1G0036410042
SG-211SEE
25.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-40 to 90 °C
+/-15 ppm
≤ 2.3 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
X1G0036410043
SG-211SEE
19.200000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-20 ppm
≤ 2.3 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
X1G0036410044
SG-211SEE
37.125000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-20 ppm
≤ 2.8 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
X1G0036410045
SG-211SEE
27.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-15 ppm
≤ 2.3 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
X1G0039310001
SG-210SCH
100.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 9.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0039310004
SG-210SCH
125.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 9.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0039310009
SG-210SCH
100.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-50 ppm
≤ 9.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0039310011
SG-210SCH
125.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-50 ppm
≤ 9.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0039310013
SG-210SCH
150.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 11.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
存儲事項(xiàng):(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時(shí)間保存晶振時(shí),會影響金屬面晶振頻率穩(wěn)定性或焊接性。請?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些石英晶振產(chǎn)品,并在開封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長期儲藏。 正常溫度和濕度： 溫度：+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH。 (2) 請仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會導(dǎo)致卷帶受到損壞。愛普生晶振,有源晶振,SG-210SCH晶振,X1G0039310001晶振
耐焊性：將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品。在下列回流條件下,對石英晶振產(chǎn)品甚至進(jìn)口晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間。同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請?jiān)俅芜M(jìn)行檢查。如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。
有源晶振自動安裝和真空化引發(fā)的沖擊會破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品。請?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對晶振特性產(chǎn)生影響。條件改變時(shí),請重新檢查安裝條件。同時(shí),在安裝前后,請確保石英晶振產(chǎn)品未撞擊機(jī)器或其他電路板等。
愛普生晶振環(huán)境影響的最小化：遵照社會的期望,改進(jìn)的環(huán)境行為,我們將通過有效利用森林、能源以及其它資源,減少2520四腳晶振形式的廢物來實(shí)現(xiàn)這一承諾.愛普生晶振環(huán)境管理體系：在每一個(gè)運(yùn)行部門,實(shí)施支持方針的系統(tǒng)的環(huán)境管理工具.我們將確保適當(dāng)?shù)娜肆Y源和充分的財(cái)力保障.每年我們都將建立可測量的環(huán)境管理以及行為改進(jìn)的目標(biāo)和指標(biāo).愛普生晶振,有源晶振,SG-210SCH晶振,X1G0039310001晶振
環(huán)境行為評價(jià)：評價(jià)我們運(yùn)行以及員工的環(huán)境行為表現(xiàn),確認(rèn)支撐著本方針的成績.我們將向我們的員工提供信息,以及能夠?qū)⒎结樑c各自工作職責(zé)完全結(jié)合的培訓(xùn).加強(qiáng)環(huán)境意識教育,提高環(huán)境意識,充分調(diào)動職工的積極性,積極使用溫補(bǔ)晶體振蕩器（TCXO）、恒溫晶體振蕩器（OCXO）,2520mm振蕩器,石英晶振,有源晶振環(huán)保型原材料,減少生產(chǎn)過程中的廢棄物產(chǎn)生量,努力向相關(guān)方施加環(huán)境影響.
我們的活動、產(chǎn)品和服務(wù)首先要遵守和符合有關(guān)環(huán)境的法律和其他環(huán)境要求.努力探索生產(chǎn)中所使用的有毒有害物質(zhì)的替代,本著污染預(yù)防的思想,使我們的有源晶振,壓控振蕩器,高精度小體積晶振,石英晶振更趨于綠色,提高本公司的社會形象.
聯(lián)系人：龔成
QQ：769468702
手機(jī)：13590198504
郵箱:zhaoxiandz@163.com
網(wǎng)站:http://ellentracy.cn
愛普生晶振,有源晶振,SG-210SDBA晶振,X1G004601A002晶振
愛普生晶振,有源晶振,SG-210SED晶振,X1G0029410001晶振
愛普生晶振,有源晶振,SG-210STF晶振,X1G0041710002晶振
