伴隨信息化社會的進(jìn)程,現(xiàn)在石英晶振元器件已被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備以及家電產(chǎn)品之中,日趨重要. 愛普生拓優(yōu)科夢（Epson — yocom）將進(jìn)一步究極用精微加工發(fā)揮“石英”材料的優(yōu)越性能的“QMEMS”技術(shù),創(chuàng)造出更小、更高性能或全新功能的元器件;同時(shí),融合愛普生集團(tuán)的半導(dǎo)體與軟件技術(shù)增添便于使用、能讓顧客更體驗(yàn)到利用價(jià)值的“解決方案”.通過上述工作,我們將為社會的發(fā)展以及實(shí)現(xiàn)更舒暢的未來而竭誠奉獻(xiàn).
愛普生晶振,有源晶振,SG-211SEE晶振,X1G0036410002晶振,貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,衛(wèi)星系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-EXPress的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.
晶振高精密點(diǎn)膠技術(shù)：石英晶體振蕩器晶片膠點(diǎn)的位置、大?。何恢脺?zhǔn)確度以及膠點(diǎn)大小一致性，通過圖像識別及高精密度數(shù)字定位系統(tǒng)的運(yùn)用、使石英晶振晶片的點(diǎn)膠的精度在±0.02mm之內(nèi)。將被上銀電極的晶片裝在彈簧支架上，點(diǎn)上導(dǎo)電膠，并高溫固化，通過彈簧即可引出電信號。
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型號 |
符號 |
參數(shù) |
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輸出規(guī)格 |
- |
CMOS |
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輸出頻率范圍 |
fo |
2.375~60MHZ |
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電源電壓 |
VCC |
1.6~2.2V |
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頻率公差 |
f_tol |
±50×10-6max., ±100×10-6max. |
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保存溫度范圍 |
T_stg |
-40-+85℃ |
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運(yùn)行溫度范圍 |
T_use |
-10-+70℃,-40-+85℃ |
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消耗電流 |
ICC |
20mA max. |
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待機(jī)時(shí)電流（＃1引腳"L"） |
I_std |
10μA max. |
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輸出負(fù)載 |
Load-R |
100Ω (Output-OutputN) |
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波形對稱 |
SYM |
45-55% [at outputs cross point] |
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0電平電壓 |
VOL |
- |
|
1電平電壓 |
VOH |
- |
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上升時(shí)間 下降時(shí)間 |
tr, tf |
0.4ns max. [20-80% Output-OutputN] |
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差分輸出電壓 |
VOD1, VOD2 |
0.247-0.454V |
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差分輸出誤差 |
⊿VOD |
50mV [⊿VOD=｜VOD1VOD2｜] |
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補(bǔ)償電壓 |
VOS |
1.125-1.375V |
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補(bǔ)償電壓誤差 |
⊿VOS |
50mV |
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交叉點(diǎn)電壓 |
Vcr |
- |
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OE端子0電平輸入電壓 |
VIL |
VCC×0.3 max. |
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OE端子1電平輸入電壓 |
VIH |
VCC×0.7 min. |
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輸出禁用時(shí)間 |
tPLZ |
200ns |
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輸出使能時(shí)間 |
tPZL |
2ms |
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周期抖動（1） |
tRMS |
5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ) |
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tp-p |
33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak) |
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總抖動（1） |
tTL |
50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12)(2)] |
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相位抖動 |
tpj |
1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) |
愛普生有源進(jìn)口MHZ振蕩器型號列表:
愛普生有源進(jìn)口MHZ振蕩器編碼列表:
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Aging2
Symmetry
SG-211SDE
25.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-20 ppm
≤ 2.5 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
SG-211SDE
40.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-15 ppm
≤ 3.0 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
SG-211SDE
36.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-20 ppm
≤ 3.0 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
SG-211SDE
24.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-20 ppm
≤ 2.5 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
SG-211SEE
40.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-15 ppm
≤ 2.8 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
SG-211SEE
40.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-20 ppm
≤ 2.8 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
SG-211SEE
11.289600 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-20 ppm
≤ 2.3 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
SG-211SEE
25.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-20 ppm
≤ 2.3 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
SG-211SEE
37.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-20 ppm
≤ 2.8 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
Product Number
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Aging2
Symmetry
X1G0036310020
SG-211SDE
25.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-20 ppm
≤ 2.5 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
X1G0036310021
SG-211SDE
40.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-15 ppm
≤ 3.0 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
X1G0036310022
SG-211SDE
36.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-20 ppm
≤ 3.0 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
X1G0036310023
SG-211SDE
24.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-20 ppm
≤ 2.5 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
X1G0036410002
SG-211SEE
40.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-15 ppm
≤ 2.8 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
X1G0036410003
SG-211SEE
40.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-20 ppm
≤ 2.8 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
X1G0036410004
SG-211SEE
11.289600 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-20 ppm
≤ 2.3 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
X1G0036410005
SG-211SEE
25.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-20 ppm
≤ 2.3 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
X1G0036410006
SG-211SEE
37.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-20 ppm
≤ 2.8 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
耐焊性：將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品。在下列回流條件下,對石英晶振產(chǎn)品甚至石英貼片晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間。同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請?jiān)俅芜M(jìn)行檢查。如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。愛普生晶振,有源晶振,SG-211SEE晶振,X1G0036410002晶振
OSC晶振自動安裝和真空化引發(fā)的沖擊會破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品。請?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對晶振特性產(chǎn)生影響。條件改變時(shí),請重新檢查安裝條件。同時(shí),在安裝前后,請確保石英晶振產(chǎn)品未撞擊機(jī)器或其他電路板等。
存儲事項(xiàng):(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時(shí)間保存晶振時(shí),會影響金屬面晶振頻率穩(wěn)定性或焊接性。請?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些石英晶振產(chǎn)品,并在開封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長期儲藏。 正常溫度和濕度： 溫度：+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH。 (2) 請仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會導(dǎo)致卷帶受到損壞。
環(huán)境行為評價(jià)：評價(jià)我們運(yùn)行以及員工的環(huán)境行為表現(xiàn),確認(rèn)支撐著本方針的成績.我們將向我們的員工提供信息,以及能夠?qū)⒎结樑c各自工作職責(zé)完全結(jié)合的培訓(xùn).加強(qiáng)環(huán)境意識教育,提高環(huán)境意識,充分調(diào)動職工的積極性,積極使用溫補(bǔ)晶體振蕩器（TCXO）、恒溫晶體振蕩器（OCXO）,2520尺寸晶振,石英晶振,有源晶振環(huán)保型原材料,減少生產(chǎn)過程中的廢棄物產(chǎn)生量,努力向相關(guān)方施加環(huán)境影響.愛普生晶振,有源晶振,SG-211SEE晶振,X1G0036410002晶振
我們的活動、產(chǎn)品和服務(wù)首先要遵守和符合有關(guān)環(huán)境的法律和其他環(huán)境要求.努力探索生產(chǎn)中所使用的有毒有害物質(zhì)的替代,本著污染預(yù)防的思想,使我們的有源晶振,壓控振蕩器,高性能石英振蕩器,石英晶振更趨于綠色,提高本公司的社會形象.
愛普生晶振環(huán)境影響的最小化：遵照社會的期望,改進(jìn)的環(huán)境行為,我們將通過有效利用森林、能源以及其它資源,減少2520貼片有源晶振形式的廢物來實(shí)現(xiàn)這一承諾.愛普生晶振環(huán)境管理體系：在每一個(gè)運(yùn)行部門,實(shí)施支持方針的系統(tǒng)的環(huán)境管理工具.我們將確保適當(dāng)?shù)娜肆Y源和充分的財(cái)力保障.每年我們都將建立可測量的環(huán)境管理以及行為改進(jìn)的目標(biāo)和指標(biāo).
聯(lián)系人：龔成
QQ：769468702
手機(jī)：13590198504
郵箱:zhaoxiandz@163.com
網(wǎng)站:http://ellentracy.cn
愛普生晶振,有源晶振,SG-210SDBA晶振,X1G004601A002晶振
愛普生晶振,有源晶振,SG-210SED晶振,X1G0029410001晶振
愛普生晶振,有源晶振,SG-210STF晶振,X1G0041710002晶振
