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Pletronics低功耗SM2245KE-32.768K-T3K晶體振蕩器的精度和功率效率更新時間:2024-05-22
Pletronics低功耗SM2245KE-32.768K-T3K晶體振蕩器的精度和功率效率
Pletronics SM22K/33K/44K 32.768KHz CMOS晶體振蕩器系列的精度和功率效率
在便攜式、可穿戴和電池驅(qū)動設(shè)備不斷發(fā)展的格局中,對緊湊、節(jié)能組件的需求從未如此之大。Pletronics SM22K/SM33K/SM44K 32.768KHz CMOS石英晶體振蕩器系列以其多樣化的封裝尺寸陣容、出色的頻率穩(wěn)定性和顯著的低功耗而成為精度的燈塔。本文探討了該系列的關(guān)鍵特性,強調(diào)了它作為現(xiàn)代電子應(yīng)用的高級實時時鐘參考的作用。
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ACT艾西迪SY00003GIHD‐PF晶體術(shù)語的A到Z技術(shù)論文更新時間:2024-04-23ACT艾西迪SY00003GIHD‐PF晶體術(shù)語的A到Z技術(shù)論文
使用晶體時常用關(guān)鍵字的定義
老化
石英晶體老化適用于頻率隨時間的累積變化,這導(dǎo)致晶體單元工作頻率的永久變化。在運行的前45天,石英晶振頻率的變化速度最快。老化涉及許多相關(guān)因素,一些最常見的因素是:內(nèi)部污染、過度驅(qū)動水平、晶體表面變化、各種熱效應(yīng)、金屬絲疲勞和摩擦磨損。結(jié)合低工作環(huán)境、最小驅(qū)動電平和靜態(tài)預(yù)老化的適當(dāng)電路設(shè)計將大大減少除最嚴重老化問題以外的所有問題。 -
CRYSTEK振蕩器CCPD-575X-20-80.000晶體負載計算更新時間:2024-04-19
CRYSTEK振蕩器CCPD-575X-20-80.000晶體負載計算
圖1中的皮爾斯門振蕩器得到了大多數(shù)設(shè)計師的認可,但很少有人知道如何正確指定晶體。圖1拓撲結(jié)構(gòu)中使用的晶體可以是基本的AT-CUT或BT-CUT。與AT-CUT相比,BT-CUT石英晶體晶振在溫度上具有較差的頻率穩(wěn)定性。這種拓撲結(jié)構(gòu)使用平行晶體而不是串聯(lián)晶體。當(dāng)指定了并聯(lián)晶體時,晶體制造商還將要求您指定負載電容。
為了理解負載電容,想象一個串聯(lián)LC電路,其中晶體是L,負載電容是C。LC電路的諧振頻率將作為L和C的函數(shù)而變化。但在晶體的情況下,L是固定的(溫度不是參數(shù))。
晶體數(shù)據(jù)表上由負載電容控制的參數(shù)是25°C下中心頻率的容差或校準。如果石英晶體振蕩器電路未設(shè)計為與負載電容值匹配,則中心頻率將不在數(shù)據(jù)表的公差范圍內(nèi)。有趣的是,所謂的并聯(lián)晶體需要其電容負載與其端子有效串聯(lián)。
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LV-PECL石英晶振,LV-LVDS晶振,LV-PECL振蕩器,LVDS-HCSL普通有源晶振貼片四腳/而差分有源晶振則是貼片六腳更新時間:2023-07-06LV-PECL石英晶振,LV-LVDS晶振,LV-PECL振蕩器,LVDS-HCSL普通有源晶振貼片四腳/而差分有源晶振則是貼片六腳
單端晶振輸出的是單端信號,差分晶振輸出的是差分信號.所以一般的單端晶振封裝為貼片四腳,而差分晶振則需貼片六腳.最后我們總結(jié)一下差分晶振與普通晶振的區(qū)別:
1、首先是管腳封裝不同,普通晶振是4腳、差分晶振是6腳.
2、其次是輸出信號不同,普通是單端輸出,差分則是差分輸出.
3、應(yīng)用場合不同,普通用于低速(100Mhz以下),差法用于高速(100MHz以上).
4、抗干擾能力也不同,差分晶振的信號抗干擾能力明顯要優(yōu)于普通晶振.
5、價格不同,差分晶振的價格要遠高于普通晶振.
LV-PECL有源晶振,LV-LVDS差分晶振,LV-PECL振蕩器,LVDS-HCSL差分六腳晶振
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泰藝開發(fā)的壓控溫補振蕩器VC-TCXO,適合用于手機TXEADCSANF-26.000000更新時間:2022-07-285G的到來和 AIoT的興起,大大地改變了石英晶體晶振頻率控制產(chǎn)品的技術(shù)指標(biāo)方向。新的應(yīng)用除了有小型化的要求,對于高頻化、穩(wěn)定度、低抖動以及寬溫域操作等性能指標(biāo)也相當(dāng)重視。泰藝開發(fā)的壓控溫補振蕩器VC-TCXO,適合用于手機TXEADCSANF-26.000000
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Abracon晶振開發(fā)AX5系列的有源振蕩器AX5PAF1-26.00000,支持差分輸出更新時間:2022-07-25
Abracon's oscillator broad product offerings include standard XO, VCXO, TCXO, OCXO, VCTXO, VCOCXO and MEMS types with SMD or through-hole mounting. The collection includes options optimized for small size, long battery life, ultra-low noise performance, and industrial temperature stability & durability, and precision timing.
Abracon的有源晶體振蕩器產(chǎn)品種類繁多,包括標(biāo)準 XO、VCXO、TCXO、OCXO、VCTXO、VCOCXO 和具有 SMD 或通孔安裝的 MEMS 類型。該系列包括針對小尺寸、長電池壽命、超低噪聲性能、工業(yè)溫度穩(wěn)定性和耐用性以及精確計時而優(yōu)化的選項。Abracon晶振開發(fā)AX5系列的有源振蕩器AX5PAF1-26.00000,支持差分輸出
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晶振輸出邏輯對頻率有什么影響,又怎樣盡可能降低抖動?更新時間:2021-01-22
晶振輸出邏輯對頻率有什么影響,又怎樣盡可能降低抖動?
輸出邏輯是Oscillator所特有的屬性,其表示晶振頻率信號輸出之后會以什么樣的波形呈現(xiàn);輸出邏輯通常有兩種模式,一種是單端輸出一種是差分輸出,其中輸出包含正弦輸出和削頂正弦輸出以及方波輸出,而差分輸出的話一般就是差分晶振所用,但是目前已經(jīng)出現(xiàn)一些在SPXO有源晶振也會掛載;那么晶振的輸出邏輯對頻率有什么影響呢,使用什么樣的輸出方式可盡可能的降低抖動呢?
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為什么晶振會出現(xiàn)頻偏,用什么方法可以最大化縮小其影響更新時間:2020-07-16
晶振乃是頻率控制元器件,但是它的頻點會出現(xiàn)上下浮動,因為生產(chǎn)技術(shù)和固有屬性的原因,將石英晶振產(chǎn)品的頻點固定在一個特定值上是不現(xiàn)實的,所以就有了頻率公差的出現(xiàn),即使現(xiàn)在有的晶振產(chǎn)品,如溫補晶振的頻差已經(jīng)做到了最高0.5ppm的樣子,但依舊無法實現(xiàn)完全固定,那么為什么會出現(xiàn)這種頻偏現(xiàn)象呢,我們應(yīng)該如何縮小其影響呢?
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鎖相環(huán)設(shè)計中的VCXO Oscillator性能權(quán)衡更新時間:2019-07-24許多VCXOs是低帶寬PLL的關(guān)鍵組件.這種PLL通常用于電信、視頻、音頻、網(wǎng)絡(luò)和儀器儀表應(yīng)用中的同步和/或抖動清除.本應(yīng)用筆記描述了鎖相環(huán)設(shè)計中關(guān)鍵VCXO石英晶體振蕩器特定性能參數(shù)之間的關(guān)系及其權(quán)衡.鑒頻鑒相器比較輸入時鐘和輸出時鐘的相位,并基于相位差產(chǎn)生周期性誤差信號.該周期性信號通過環(huán)路濾波器進行低通濾波,并作為模擬控制電壓傳遞給VCXO輸入端.VCXO輸出頻率由控制輸入電壓控制,并與其大致成比例.輸出頻率將隨著控制電壓的變化而變化,直到產(chǎn)生的相位誤差能量被驅(qū)動為零.在上面所示的常見情況下,VCXO石英晶振產(chǎn)生的輸出頻率和反饋給功率因數(shù)校正的頻率之間存在一個分頻比.這導(dǎo)致參考頻率的有效乘以N.
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SMD與DIP封裝的石英振蕩器規(guī)格應(yīng)用更新時間:2019-07-13雖然時鐘晶體振蕩器的起步比較晚,但是發(fā)展至今已成為眾多產(chǎn)品不可或缺的一種電子元器件,SMD貼片型的振蕩器是目前應(yīng)用比較廣泛的一種,除了SMD還有一種DIP插件型封裝的石英振蕩器.DIP插件型的體積一般比SMD要大得多,但是其穩(wěn)定性,可靠性和性能要比貼片振蕩器好,很適合用在特別高要求的產(chǎn)品方案中.
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